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GE スピードトロニック Mark V SCR 高電圧 Mフレームインターフェース基板 DS200SHVMG1AFE（新品・純正）

GE スピードトロニック Mark V SCR 高電圧 Mフレームインターフェース基板 DS200SHVMG1AFE（新品・純正）

製品名： SCR 高電圧 Mフレームインターフェース基板

ブランド名： 遺伝子組み換え

モデル番号： DS200SHVMG1AFE

産地: アメリカ合衆国

保証： 12ヶ月

ワットスアップ: +86 18159889985

メールアドレス： [email protected]

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仕様
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概要

ブランド名：	ジェネラル・エレクトリック
モデル番号：	DS200SHVMG1AFE
産地:	アメリカ合衆国
包装詳細：	新品・工場シール済み
納期：	在庫ありの場合の納期
支払条件：	T/T

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営業マネージャー:	ステラ
メールでお問い合わせ：	[email protected]
WhatsAppでのお問い合わせ：	+86 18159889985

仕様

パラメータ	値 / 説明
製造元	General Electric (GE)
モデル番号	DS200SHVMG1AFE
製品タイプ	SCR 高電圧 Mフレームインターフェース基板（SHVM）
シリーズ	GE Mark V スピードトロニックタービン制御システム
ボードグループ	G1（利用可能なのは1グループのみ）
操作説明書	GEI-100174
機能改訂	1文字目：A、2文字目：F、3文字目：E
アートワークリビジョン	E
入力電圧範囲	110～240 VAC／24 VDC（標準）
出力電圧	24 VDC（レギュレート済み）
最大出力電流<br>	10A
動作温度	-20°C ～ 60°C（-4°F ～ 140°F）
シャント信号入力範囲	-500 mV～+500 mV
周波数出力範囲	0～500 kHz（差動）
PCBコーティング	過酷な環境向け保護コーティング
オンボードジャンパー	17個の設定可能なジャンパー（JP1～JP17）
コネクタ	8個のプラグコネクタ＋18個のスタブ端子
認証	CE, UL
製造国	アメリカ合衆国（USA）
寸法	23.8×17.7×4cm
重量	0.34kg
入手可能性	ストック

商品説明

The GE DS200SHVMG1AFE mark V Speedtronicシリーズの高電圧Mフレームインターフェース基板です。 DS200SHVMG1AFE mフレームドライブのSCRブリッジとDCFBまたはSDCIなどの電源基板、およびPCCA電源接続カード間における重要な信号インタフェースを提供します。 DS200SHVMG1AFE -500 mV～+500 mVのシャント信号を0～500 kHzの差動周波数出力に変換します。 DS200SHVMG1AFE また、減衰選択用に17個の構成可能なジャンパーを備えており、144 mAを超える交流ライン電流向けに10:1の電流トランスフォーマー減衰機能を搭載しています。